При изобретении флеш-карты будущего был использовался мультиграфен, представляющий собой плоскость графита. Толщина материала – всего один атом углерода. Специалисты уверены, что это позволит осуществить прорыв в нанотехнологиях и электронике.
"Флеш-память с использованием мультиграфена по быстродействию и времени хранения информации может превосходить аналоги, основанные на других материалах", – отмечается в статье, опубликованной в издании СО РАН "Наука в Сибири". "Зажатый" между туннельным и блокирующим оксидами, мультиграфен, по словам физиков, является запоминающей средой для хранения электрозаряда, куда он скидывается и долго хранится. Важной чертой девайса служит его работа выхода для электронов, которая достигает пять электронвольт.
"Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд", – сообщил старший научный сотрудник Института физики полупроводников СО РАН Юрий Новиков.
О масштабном производстве таких флеш-накопителей сибирские физики пока не думают. Ведутся лишь фундаментальные исследования и работа с опытными образцами. По словам специалистов, для производства устройств в России понадобится место, оборудованное современными технологиями.